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NOR FLASH
大容量NORFLASH是高存儲(chǔ)密度的閃存存儲(chǔ)器，由一個(gè)或多個(gè)NOR FLASH基片采用立體封裝工藝堆疊而成。廣泛應(yīng)用于航空航天、工業(yè)控制等領(lǐng)域的飛機(jī)、衛(wèi)星、飛船、車(chē)輛、地面裝備等的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中。
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產(chǎn)品特性 |
總?cè)萘浚?span>64M~512M;
訪問(wèn)速度：最快達(dá)90ns；7.5ns;
數(shù)據(jù)寬度： 4位，8位，16位；
電源電壓：3.3V；
典型產(chǎn)品輻照指標(biāo)：
TID: >15krad（Si）
SEL: >99.8 Mev·cm2/mg
SEU: >4.7 Mev·cm2/mg
工作溫度：-55℃~125℃。
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產(chǎn)品列表 |
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# |
NOR FLASH |
存儲(chǔ)容量（bit） |
存儲(chǔ)組織 |
電壓 |
訪問(wèn)速度 |
抗輻射 |
封裝 |
溫度等級(jí) |
篩選等級(jí) |
質(zhì)量等級(jí) |
||
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|
|
|
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TID 1) |
SEL 2) |
SEU 3) |
|
|
|
|
|
1 |
VDRF2G08xS60xx4V90 |
2G |
256M*8 |
3.3V |
90ns |
TBD |
TBD |
TBD |
SOP60 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
|
VDRF64M16xS54xx1V90 |
64M |
4M*16 |
3.3V |
90ns |
>15 |
>99.8 |
>4.7 |
SOP54 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
2 |
VDRF128M16xS54xx2V90 |
128M |
8M*16 |
3.3V |
90ns |
>15 |
>99.8 |
>4.7 |
SOP54 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
3 |
VDRF256M16xS54xx4V90 |
256M |
16M*16 |
3.3V |
90ns |
>15 |
>99.8 |
>4.7 |
SOP54 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
4 |
VDRF256M16xS54xx4V90-Ⅱ |
256M |
16M*16 |
3.3V |
90ns |
>15 |
>99.8 |
>4.7 |
SOP54 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
5 |
VDRF512M16xS56xx8V90 |
512M |
32M*16 |
3.3V |
90ns |
>15 |
>99.8 |
>4.7 |
SOP56 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
|
VDSF512M04XS18XX2V133 |
512M |
128M*4 |
3.3V |
7.5ns |
TBD |
TBD |
TBD |
SOP18 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
1)、TID:Total Dose（Krads(Si)）
2)、SEL: LET Threshold（Mev.cm2/mg）
3)、SEU:SEU Threshold （Mev.cm2/mg）
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相關(guān)下載 |
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| VDRF128M16xS54xx2V90 user manual.pdf | VDRF128M16xS54xx2V90 user manual.pdf |
| VDRF256M16xS54xx4V90 user manual.pdf | VDRF256M16xS54xx4V90 user manual.pdf |
| VDRF256M16xS54xx4V90-Ⅱ user manual.pdf | VDRF256M16xS54xx4V90-Ⅱ user manual.pdf |
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