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NOR FLASH

大容量NORFLASH是高存儲密度的閃存存儲器,由一個或多個NOR FLASH基片采用立體封裝工藝堆疊而成。廣泛應(yīng)用于航空航天、工業(yè)控制等領(lǐng)域的飛機、衛(wèi)星、飛船、車輛、地面裝備等的計算機系統(tǒng)中

 


  產(chǎn)品特性


總?cè)萘浚?span>64M~512M;

訪問速度:最快達(dá)90ns;7.5ns;

數(shù)據(jù)寬度: 4位,8位,16位;

電源電壓:3.3V;

典型產(chǎn)品輻照指標(biāo):

TID: >15kradSi

SEL: >99.8 Mev·cm2/mg

SEU: >4.7 Mev·cm2/mg

工作溫度:-55~125℃。

 

   產(chǎn)品列表


#

NOR FLASH

存儲容量(bit)

存儲組織

電壓

訪問速度

抗輻射

封裝

溫度等級

篩選等級

質(zhì)量等級

 

 

 

 

 

 

TID 1)

SEL 2)

SEU 3)

 

 

 

 

1

VDRF2G08xS60xx4V90

2G

256M*8

3.3V

90ns

TBD

TBD

TBD

SOP60

E,I,M

E,B,M,S

EE, IB, MM, MS

 

VDRF64M16xS54xx1V90

64M

4M*16

3.3V

90ns

>15

>99.8

>4.7

SOP54

E,I,M

E,B,M,S

EE, IB, MM, MS

2

VDRF128M16xS54xx2V90

128M

8M*16

3.3V

90ns

>15

>99.8

>4.7

SOP54

E,I,M

E,B,M,S

EE, IB, MM, MS

3

VDRF256M16xS54xx4V90

256M

16M*16

3.3V

90ns

>15

>99.8

>4.7

SOP54

E,I,M

E,B,M,S

EE, IB, MM, MS

4

VDRF256M16xS54xx4V90-

256M

16M*16

3.3V

90ns

>15

>99.8

>4.7

SOP54

E,I,M

E,B,M,S

EE, IB, MM, MS

5

VDRF512M16xS56xx8V90

512M

32M*16

3.3V

90ns

>15

>99.8

>4.7

SOP56

E,I,M

E,B,M,S

EE, IB, MM, MS

VDSF512M04XS18XX2V133

512M

128M*4

3.3V

7.5ns

TBD

TBD

TBD

SOP18

E,I,M

E,B,M,S

EE, IB, MM, MS

 

     1)、TID:Total DoseKrads(Si)

2)、SEL: LET ThresholdMev.cm2/mg

3)SEU:SEU Threshold Mev.cm2/mg

 

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4Mb 8Mb 16Mb 32Mb

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